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J-GLOBAL ID:200903026029350846
固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008199050
Publication number (International publication number):2009272596
Application date: Jul. 31, 2008
Publication date: Nov. 19, 2009
Summary:
【課題】固体撮像装置における製造工程数の削減と画素特性の向上を可能にする。【解決手段】画素部23と、周辺回路部24と、周辺回路部24の半導体基板22に形成されたSTI構造を有する第1素子分離部43と、画素部23の半導体基板22に形成され、半導体基板22内に埋め込まれた部分が第1素子分離部43の半導体基板22内に埋め込まれた部分より浅く、表面の高さが第1素子分離部43と同じであるSTI構造を有する第2素子分離部45とを有する。【選択図】図2
Claim (excerpt):
画素部と、
周辺回路部と、
前記周辺回路部の半導体基板に形成されたSTI構造を有する第1素子分離部と、
前記画素部の半導体基板に形成され、該半導体基板内に埋め込まれた部分が前記第1素子分離部の半導体基板内に埋め込まれた部分より浅く、表面の高さが前記第1素子分離部と同じであるSTI構造を有する第2素子分離部と
を有する固体撮像装置。
IPC (4):
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H01L 21/76
, H04N 5/335
FI (4):
H01L27/14 A
, H01L27/14 D
, H01L21/76 L
, H04N5/335 E
F-Term (34):
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118FA06
, 4M118FA08
, 4M118FA27
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024AX01
, 5C024CY47
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024HX40
, 5C024HX41
, 5F032AA34
, 5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032BA03
, 5F032BA08
, 5F032CA17
, 5F032CA21
, 5F032DA03
, 5F032DA22
, 5F032DA33
, 5F032DA43
, 5F032DA53
, 5F032DA57
, 5F032DA78
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
固体撮像素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-162035
Applicant:ソニー株式会社
-
固体撮像素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-202226
Applicant:ソニー株式会社
-
固体撮像素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-430505
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-015848
Applicant:エルピーダメモリ株式会社
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Cited by examiner (12)
-
フォトダイオード領域を埋め込んだイメージセンサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-077237
Applicant:富士通株式会社
-
固体撮像装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-022175
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-087155
Applicant:沖電気工業株式会社, 宮城沖電気株式会社
-
トレンチ分離のための傾斜注入
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2006-507102
Applicant:マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
-
半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-154149
Applicant:沖電気工業株式会社
-
素子分離絶縁膜の形成方法及び、半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-218390
Applicant:三菱電機株式会社
-
固体撮像デバイスおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-220937
Applicant:ソニー株式会社
-
シャロートレンチ分離構造及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-182424
Applicant:株式会社東芝
-
光電変換装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-131440
Applicant:キヤノン株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-076043
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-218213
Applicant:株式会社デンソー
-
半導体素子の素子分離膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-370478
Applicant:東部電子株式会社
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