発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山本孝久 , 吉井正明
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013239827
Publication number (International publication number)：2015099872
Patent number：6103241
Application date： Nov. 20, 2013
Publication date： May. 28, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層を含む第3化合物半導体層、及び、第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が積層されて成り、光出射端面及び光反射端面を有する積層構造体を備えており、光出射端面は、少なくとも、第2化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第2領域、及び、第3化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第3領域を有しており、光出射端面における仮想垂直面と光出射端面第2領域との成す角度をθ2、光出射端面第3領域との成す角度をθ3としたとき、 0度≦|θ3|<|θ2| を満足し、第2化合物半導体層は、GaNに対して格子歪み量の値が負であり、且つ、格子歪み量の絶対値が0.02%以上である混晶から成り、第3化合物半導体層は、GaNに対して格子歪み量の値が正である混晶から成る発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/10 ( 200 6.01) , H01S 5/323 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01S 5/10 , H01S 5/323 610

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

窒化物半導体レーザ素子、光源装置および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-093765 Applicant：シャープ株式会社
III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びスクライブ溝の形成によるダメージを評価する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-002223 Applicant：住友電気工業株式会社
III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-011117 Applicant：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

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Cited by examiner (4)

窒化物半導体レーザ素子、光源装置および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-093765 Applicant：シャープ株式会社
III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びスクライブ溝の形成によるダメージを評価する方法
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III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

"531nm green lasing of InGaN based laser diodes on semi-polar {20-21} free-standing GaN substrates"

Cited by examiner (1)

"531nm green lasing of InGaN based laser diodes on semi-polar {20-21} free-standing GaN substrates"

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