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J-GLOBAL ID：201803005418672606

エピタキシャルウエハ及びその製造方法

Inventor： 後藤 健 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  村上 尚
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  国立大学法人東京農工大学
Agent (5)： 特許業務法人平田国際特許事務所 ,  平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014097751
Publication number (International publication number)：2015214448
Patent number：6253150
Application date： May. 09, 2014
Publication date： Dec. 03, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】HVPE法によるエピタキシャル結晶成長用の下地基板として用いられる半導体基板であって、β-Ga2O3系単結晶からなり、β-Ga2O3系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする半導体基板と、 前記半導体基板の前記主面上の5×1016(atoms/cm3)以下のClを含むβ-Ga2O3系単結晶からなるエピタキシャル層と、 を有するエピタキシャルウエハ。

IPC (5)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 25/20 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01)

FI (5)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、および、当該製造方法によって得られた周期表第13族金属窒化物半導体結晶を用いた半導体発光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-061527   Applicant：三菱化学株式会社
• 周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、それに用いるノズルおよび製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-276044   Applicant：三菱化学株式会社
• 高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-245423   Applicant：ナノガンリミテッド
• β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-088589   Applicant：株式会社タムラ製作所, 国立大学法人東京農工大学