Art

J-GLOBAL ID：201902220795035185   Reference number：19A0890943

Highly effective removal of OH bonds in low-temperature silicon oxide films by annealing with ammonia gas at a low temperature of 175 °C

低温でのアンモニアガスでのアニーリングによる低温酸化ケイ素膜中のOH結合の高効率除去

Author (1)： HORITA Susumu (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 3  Page： 038002.1-038002.4  Publication year： Mar. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *low temperature ,  *ammonia ,  *annealing(heat treatment) ,  *silicon oxide ,  oxide film ,  removal ,  FTIR spectroscopy ,  gas ,  Lewis base
Semi thesaurus term： *annealing treatment ,  nitrogen gas ,  Catalysis

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (23)：

• S. Higashi, D. Abe, S. Inoue, and T. Shimoda, Japan. J. Appl. Phys. 40, 4171 (2001).
• M. M. Moslehi, R. A. Chapman, M. Wong, A. Paranjpe, H. N. Najm, J. Kuehn, R. L. Yeakley, and C. J. Davis, IEEE Trans. Electron Devices 39, 4 (1992).
• T. Kawahara, A. Yuuki, and Y. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2925 (1992).
• K. Murase, N. Yabumoto, and Y. Komine, J. Electrochem. Soc. 140, 1722 (1993).
• M. Yoshimaru and T. Yoshie, J. Electrochem. Soc. 145, 2847 (1998).

Terms in the title (6)： 低温 ,  アンモニアガス ,  アニーリング ,  低温酸化 ,  ケイ素膜 ,  高効率