Pat
J-GLOBAL ID:201903011464586258
基板および基板の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
新居 広守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2018037571
Publication number (International publication number):2019151520
Application date: Mar. 02, 2018
Publication date: Sep. 12, 2019
Summary:
【課題】AlN膜の結晶性を向上し、かつ、反りが低減された基板を提供する。【解決手段】基板1は、サファイア基板2と、前記サファイア基板の第1主面に形成された第1のAlN膜3aと、前記サファイア基板の前記第1主面と反対側の第2主面に形成された第2のAlN膜3bとを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt):
サファイア基板と、
前記サファイア基板の第1主面に形成された第1のAlN膜と、
前記サファイア基板の前記第1主面と反対側の第2主面に形成された第2のAlN膜とを備える、
基板。
IPC (5):
C30B 29/38
, C30B 23/02
, C30B 33/02
, C23C 14/06
, H01L 21/324
FI (5):
C30B29/38 C
, C30B23/02
, C30B33/02
, C23C14/06 A
, H01L21/324 X
F-Term (33):
4G077AA03
, 4G077AB08
, 4G077BE13
, 4G077DA11
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077FE19
, 4G077HA12
, 4G077SA04
, 4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BB04
, 4K029BB07
, 4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029GA01
, 5F103BB14
, 5F103BB22
, 5F103DD01
, 5F103HH04
, 5F103LL02
, 5F103NN01
, 5F103NN04
, 5F103NN06
, 5F103PP03
, 5F103PP06
, 5F103PP07
, 5F103RR01
, 5F103RR06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-310195
Applicant:日立電線株式会社
-
第13族窒化物基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2012-170197
Applicant:三菱化学株式会社
-
単結晶ウエハ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-399115
Applicant:京セラ株式会社
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Cited by examiner (9)
-
半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-310195
Applicant:日立電線株式会社
-
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Applicant:三菱化学株式会社
-
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Application number:特願2000-399115
Applicant:京セラ株式会社
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