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J-GLOBAL ID：202002276563286433   Reference number：20A0131748

Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs

トレンチゲート型si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

Author (21)： WATANABE MASAHIRO (東京工大) ,  SHIGYO NAOYUKI (東京工大) ,  HOSHII TAKUYA (東京工大) ,  FURUKAWA KAZUYOSHI (東京工大) ,  KAKUSHIMA KUNIYUKI (東京工大) ,  SATO KATSUMI (三菱電機) ,  MATSUDAI TOMOKO (東芝デバイス&ストレージ) ,  SARAYA TAKUYA (東大 生産技研) ,  TAKAKURA TOSHIHIKO (東大 生産技研) ,  ITO KAZUO (東大 生産技研) ,  FUKUI MUNETOSHI (東大 生産技研) ,  SUZUKI SHIN'ICHI (東大 生産技研) ,  TAKEUCHI KIYOSHI (東大 生産技研) ,  MUNETA IRIYA (東京工大) ,  WAKABAYASHI HITOSHI (東京工大) ,  NAKAJIMA AKIRA (産業技術総合研) ,  NISHIZAWA SHIN'ICHI (九大) ,  TSUTSUI KAZUO (東京工大) ,  HIRAMOTO TOSHIRO (東大 生産技研) ,  OHASHI HIROMICHI (東京工大) ,  IWAI HIROSHI (東京工大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 119  Issue： 273(SDM2019 68-79)  Page： 45-48  Publication year： Oct. 31, 2019 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *IGBT ,  silicon ,  trench cut (processing) ,  gate (semiconductor) ,  *CAD ,  simulator ,  *Computer Simulation ,  three dimension ,  power electronics ,  scaling ,  *computer application ,  *utilization

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (11)：

• M. Tanaka and I. Omura, ′′Scaling rule for very shallow trench IGBT toward CMOS process compatibility,′′ Proc. ISPSD 2016, pp.177-179.
• K. Kakushima et al., ′′Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat) IGBT,′′ Tech. Dig. IEDM 2016, pp. 10.6.1-10.6.4.
• T. Hoshii et al., ′′Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately,′′ Proc. ESSDERC 2018, pp.26-29.
• T. Saraya et al., ′′Demonstration of 1200V scaled IGBTs driven by 5V gate voltage with superiorly low switching loss,′′, Tech. Dig. IEDM 2018, pp. 8.4.1-8.4.4.
• P. Luo et al., ′′Numerical analysis of 3-dimensional scaling rules on a 1.2-kV trench clustered IGBT,′′ IEEE Tran. Electron Devices, vol. 65, no. 4, pp.1440-1446, 2018

Terms in the title (6)： トレンチゲート ,  Si ,  IGBT ,  3次元 ,  TCAD ,  シミュレーション