高耐圧ショットキーバリアダイオード

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Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：特許業務法人平田国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015058519
Publication number (International publication number)：2016178250
Patent number：6758569
Application date： Mar. 20, 2015
Publication date： Oct. 06, 2016
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1のIV族元素及び濃度5×1016cm-3以下のClを含む第1のGa2O3系単結晶からなり、理想係数が1.2未満となる、実効ドナー濃度が1×1013以上かつ2.0×1016cm-3以下である第1の層と、第2のIV族元素を含む第2のGa2O3系単結晶からなり、前記第1の層よりも実効ドナー濃度が高い、前記第1の層に積層された第2の層と、前記第1の層上に形成されたアノード電極と、前記第2の層上に形成されたカソード電極と、を有する、高耐圧ショットキーバリアダイオード。

IPC (6)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) , H01L 21/329 ( 200 6.01) , C23C 16/40 ( 200 6.01) , C30B 29/16 ( 200 6.01) , H01L 29/24 ( 200 6.01) , H01L 29/47 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 29/86 301 D , H01L 29/86 301 F , H01L 29/86 301 P , C23C 16/40 , C30B 29/16 , H01L 29/24 , H01L 29/48 D , H01L 29/48 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ショットキーバリアダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-245519 Applicant：株式会社タムラ製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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