強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜製造装置および強誘電体薄膜

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：木村満 , 森川泰司 , 龍竹史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019185711
Publication number (International publication number)：2021061360
Application date： Oct. 09, 2019
Publication date： Apr. 15, 2021
Summary：

【課題】製造効率が高い強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜の製造方法は、基板を準備する工程と、ミストCVD法により、強誘電体薄膜を形成する酸化物の前駆体原料を含む液滴状の材料を利用して、基板上に、直方晶構造の酸化ハフニウム(HfO2)結晶を含む強誘電体薄膜を形成する工程と、を含む。そして、強誘電体薄膜を形成する工程では、ハフニウムアセチルアセトナート(Hf(C5H7O2)4)を含む前駆体原料を基板の表面へ供給する。また、強誘電体薄膜を形成する工程では、前駆体原料をメタノールに溶解させてなる原料溶液を霧状にして基板の表面へ供給する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を準備する工程と、強誘電体薄膜を形成する酸化物の前駆体原料を含む液滴状の材料を利用して、前記基板上に、直方晶構造の酸化ハフニウム結晶を含む強誘電体薄膜を形成する工程と、を含む、強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/40

FI (4)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , H01L21/316 G , C23C16/40

F-Term (29)：

4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA10 , 4K030BA42 , 4K030BB03 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA01 , 4K030LA15 , 5F045AB31 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045CA05 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EK07 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF46 , 5F058BG01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-231727 Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.
原子層成長法を用いた成膜方法及びその成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-226597 Applicant：学校法人同志社, 株式会社堀場製作所, 株式会社堀場エステック
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-100274 Applicant：ルネサスエレクトロニクス株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

“Mist chemical vapor deposition study of 20 and 100 nm thick undoped ferroelectric hafnium oxide fi

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