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J-GLOBAL ID:202103018940621868
表面処理装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
新居 広守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2021077461
Publication number (International publication number):2021190421
Application date: Apr. 30, 2021
Publication date: Dec. 13, 2021
Summary:
【課題】表面処理の後の対象物から液体を取り除く乾燥工程が不要である表面処理装置を提供する。【解決手段】表面処理装置10は、内部に対象物80が配置される処理室S1と、処理室S1の外部に配置され、液体81を貯留しているタンク21と、処理室S1とタンク21とを接続する配管20であって、タンク21内に貯留されている液体81が気化した気体が、処理室S1内の負圧により配管20を通って処理室S1内に導入される配管20と、対象物80に向けてマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器11と、マイクロ波発生器11が発生させたマイクロ波を通過させて処理室S1内の気体に照射させることで、プラズマを発生させるスロットアンテナ15とを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt):
内部に対象物が配置される処理室と、
前記処理室の外部に配置され、液体を貯留しているタンクと、
前記処理室と前記タンクとを接続する配管であって、前記タンク内に貯留されている液体が気化した気体が、前記処理室内の負圧により当該配管を通って前記処理室内に導入される配管と、
前記対象物に向けてマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、
前記マイクロ波発生器が発生させたマイクロ波を通過させて前記処理室内の前記気体に照射させることで、プラズマを発生させるスロットアンテナとを備える
表面処理装置。
IPC (3):
H05H 1/24
, H01L 21/306
, B01J 19/08
FI (3):
H05H1/24
, H01L21/302 104H
, B01J19/08 E
F-Term (33):
2G084AA03
, 2G084AA05
, 2G084AA07
, 2G084BB11
, 2G084BB14
, 2G084CC09
, 2G084CC14
, 2G084CC32
, 2G084DD04
, 2G084DD19
, 2G084DD40
, 2G084DD44
, 2G084FF12
, 2G084FF21
, 4G075AA30
, 4G075BC10
, 4G075BD16
, 4G075CA26
, 4G075CA47
, 4G075CA51
, 4G075DA02
, 4G075EB41
, 4G075EC30
, 4G075FB02
, 5F004AA01
, 5F004AA06
, 5F004AA16
, 5F004BB14
, 5F004BC08
, 5F004BD01
, 5F004CA02
, 5F004DA00
, 5F004DB26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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フォトレジストを除去するための方法および装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2011-533221
Applicant:ラムリサーチコーポレーション
-
半導体装置製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-337864
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-207774
Applicant:国立大学法人名古屋大学, 東京エレクトロン株式会社
-
グラフェン膜を有する被処理体を処理する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-127824
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
ウェハ背面重合体除去方法及びウェハ正面側捕捉プラズマ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-016828
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
プラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-159097
Applicant:松下電工株式会社
-
分子イオンエンハンストイオン源装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-343324
Applicant:住友イートンノバ株式会社
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