特許
J-GLOBAL ID：200903039625990857
フィールドエミッション装置、ならびに、その製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
木村 満
, 石井 裕一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-089078
公開番号（公開出願番号）：特開2009-245672
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】効率的に電界を集中させて電子を放出し、低い駆動電圧で高いエミッション電流密度を実現するフィールドエミッション装置等を提供する。【解決手段】フィールドエミッション装置101は、導電体からなるカソード層102と、カソード層上に配置される絶縁層103と、絶縁層103上に配置され、スリット106を設けた導電体からなるゲート層104と、エミッタ105と、を備え、絶縁層103は、当該スリット106から、カソード層102において当該スリット106に対向する対向領域108に至る空隙が設けられ、エミッタ105は、当該対向領域108上に配置された複数の、典型的には単層乃至3層の細いカーボンナノチューブが絡み合った棘状の突端を有する構造体からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電体からなるカソード層と、
前記カソード層上に配置される絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、スリットを設けた導電体からなるゲート層と、
を備え、
前記絶縁層は、当該スリットから、前記カソード層において当該スリットに対向する対向領域に至る空隙が設けられ、
当該対向領域上に配置された複数のカーボンナノチューブが絡み合った構造体からなるエミッタと、
をさらに備えることを特徴とするフィールドエミッション装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (26件)：
5C127AA20
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC03
, 5C127CC08
, 5C127CC09
, 5C127DD07
, 5C127DD08
, 5C127DD33
, 5C127DD41
, 5C127DD57
, 5C127DD59
, 5C127DD69
, 5C127EE02
, 5C127EE05
, 5C127EE06
, 5C127EE07
, 5C135AA15
, 5C135AB07
, 5C135AC03
, 5C135AC15
, 5C135AC25
, 5C135HH02
, 5C135HH05
, 5C135HH06
, 5C135HH07
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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