特許
J-GLOBAL ID:200903073000583513
半導体レーザジャイロ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-009469
公開番号(公開出願番号):特開2006-196844
出願日: 2005年01月17日
公開日(公表日): 2006年07月27日
要約:
【課題】 新規な構造の半導体レーザを用いた新規な半導体レーザジャイロを提供する。 【解決手段】 第1および第2のレーザ光を出射する半導体レーザと光検出器とを備える半導体レーザジャイロである。光検出器は、第1および第2のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されている。半導体レーザ10は、基板11と、基板11上に積層された活性層24と、活性層24を挟むように配置された第1および第2のクラッド層22および26と、活性層24にキャリアを注入するための電極とを備える。第1のレーザ光は、活性層24内において多角形の経路上を周回するレーザ光(L1)の一部が出射されたレーザ光であり、第2のレーザ光は、上記経路上をレーザ光(L1)とは逆の方向に周回するレーザ光(L2)の一部が出射されたレーザ光である。クラッド層22および26は、活性層24よりも屈折率が低い材料からなり、厚さが2μm以上である。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
第1および第2のレーザ光を出射する半導体レーザと光検出器とを備える半導体レーザジャイロであって、
前記光検出器は、前記第1および第2のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されており、
前記半導体レーザは、基板と、前記基板上に積層された活性層と、前記活性層を挟むように配置された第1および第2のクラッド層と、前記活性層にキャリアを注入するための第1および第2の電極とを備え、
前記第1のレーザ光は、前記活性層内において多角形の経路上を周回するレーザ光(L1)の一部が出射されたレーザ光であり、
前記第2のレーザ光は、前記経路上を前記レーザ光(L1)とは逆の方向に周回するレーザ光(L2)の一部が出射されたレーザ光であり、
前記クラッド層は、前記活性層よりも屈折率が低い材料からなり、
前記クラッド層の厚さが2μm以上である半導体レーザジャイロ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (13件):
5F173AB49
, 5F173AD11
, 5F173AD30
, 5F173AL03
, 5F173AL13
, 5F173AL16
, 5F173AL19
, 5F173AP06
, 5F173AP32
, 5F173AP36
, 5F173AP73
, 5F173AP87
, 5F173AR94
引用特許:
出願人引用 (4件)
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リングレーザジャイロ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-164666
出願人:日本航空電子工業株式会社
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光ジャイロ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-033277
出願人:キヤノン株式会社
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特開平4-174317号公報
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光ジャイロ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-296581
出願人:キヤノン株式会社
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審査官引用 (9件)
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-335087
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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光ジャイロ及びこれを用いる回転方向の検知方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-302597
出願人:キヤノン株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-020755
出願人:株式会社国際電気通信基礎技術研究所
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半導体レーザジャイロ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-059402
出願人:株式会社国際電気通信基礎技術研究所, 岡山県
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特開昭62-266197
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pH電極
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-301075
出願人:株式会社コス
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制御盤
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-370473
出願人:株式会社荏原電産
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特開平4-281307
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防錆水の生成方法及び防錆水生成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-104848
出願人:稲船郁男
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