半導体レーザジャイロ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：鎌田耕一 , 黒田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-009469
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196844
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】新規な構造の半導体レーザを用いた新規な半導体レーザジャイロを提供する。【解決手段】第1および第2のレーザ光を出射する半導体レーザと光検出器とを備える半導体レーザジャイロである。光検出器は、第1および第2のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されている。半導体レーザ10は、基板11と、基板11上に積層された活性層24と、活性層24を挟むように配置された第1および第2のクラッド層22および26と、活性層24にキャリアを注入するための電極とを備える。第1のレーザ光は、活性層24内において多角形の経路上を周回するレーザ光(L1)の一部が出射されたレーザ光であり、第2のレーザ光は、上記経路上をレーザ光(L1)とは逆の方向に周回するレーザ光(L2)の一部が出射されたレーザ光である。クラッド層22および26は、活性層24よりも屈折率が低い材料からなり、厚さが2μm以上である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1および第2のレーザ光を出射する半導体レーザと光検出器とを備える半導体レーザジャイロであって、前記光検出器は、前記第1および第2のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されており、前記半導体レーザは、基板と、前記基板上に積層された活性層と、前記活性層を挟むように配置された第1および第2のクラッド層と、前記活性層にキャリアを注入するための第1および第2の電極とを備え、前記第1のレーザ光は、前記活性層内において多角形の経路上を周回するレーザ光(L1)の一部が出射されたレーザ光であり、前記第2のレーザ光は、前記経路上を前記レーザ光(L1)とは逆の方向に周回するレーザ光(L2)の一部が出射されたレーザ光であり、前記クラッド層は、前記活性層よりも屈折率が低い材料からなり、前記クラッド層の厚さが2μm以上である半導体レーザジャイロ。

IPC (1件)：

H01S 5/10

FI (1件)：

H01S5/10

Fターム (13件)：

5F173AB49 , 5F173AD11 , 5F173AD30 , 5F173AL03 , 5F173AL13 , 5F173AL16 , 5F173AL19 , 5F173AP06 , 5F173AP32 , 5F173AP36 , 5F173AP73 , 5F173AP87 , 5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (4件)

リングレーザジャイロ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-164666 出願人：日本航空電子工業株式会社
光ジャイロ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-033277 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-174317号公報

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審査官引用 (9件)

光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335087 出願人：浜松ホトニクス株式会社
光ジャイロ及びこれを用いる回転方向の検知方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-302597 出願人：キヤノン株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-020755 出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所

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