特許
J-GLOBAL ID：201603008932850488
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
岡部 讓
, 吉澤 弘司
, 三山 勝巳
, 川崎 孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-102887
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232470
特許番号：特許第5960491号
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板上に設けられたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極は、少なくともTiとNとO(酸素)とを含有する導電層と、該導電層上に配置されたシリコン層とを有する積層型ゲート電極であり、
前記導電層中の酸素濃度は、前記シリコン層と接する面で最大となり、該酸素濃度は前記導電層において該導電層の膜厚方向に分布をもち、前記接する面における前記酸素濃度は2×1015[atoms/cm2]〜7×1015[atoms/cm2]であることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, C23C 14/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 29/423 ( 200 6.01)
, H01L 29/49 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 G
, C23C 14/34 N
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/285 S
, H01L 29/58 G
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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