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J-GLOBAL ID：201702278746554793   整理番号：17A1138670

プラズマCVD成膜したSiO₂/AlGaN界面特性の成膜電力および温度依存性

著者 (12件)： 寺島大貴 (大阪大 大学院) ,  渡邉健太 (大阪大 大学院) ,  山田高寛 (大阪大 大学院) ,  野崎幹人 (大阪大 大学院) ,  SHIH Hongan (パナソニック) ,  中澤敏志 (パナソニック) ,  按田義治 (パナソニック) ,  上田哲三 (パナソニック) ,  吉越章隆 (日本原子力研究開発機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-C17-5  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *薄膜成長 ,  *二酸化ケイ素 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *界面 ,  *特性 ,  *温度依存性 ,  分散【dispersion】 ,  容量電圧特性 ,  薄膜コンデンサ ,  プラズマ ,  熱酸化 ,  周波数分散 ,  RFプラズマ ,  表面酸化 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  界面特性 ,  MOSキャパシタ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマCVD ,  成膜 ,  SiO2 ,  AlGaN ,  界面特性 ,  温度依存性