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J-GLOBAL ID：201802266436711246   整理番号：18A0633869

六方晶窒化ホウ素上におけるVO₂薄膜の成長と評価

著者 (6件)： 玄地真悟 (大阪大 産科研) ,  山本真人 (大阪大 産科研) ,  神吉輝夫 (大阪大 産科研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  田中秀和 (大阪大 産科研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.20a-C102-1  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 窒化ホウ素 ,  *酸化バナジウム ,  *薄膜成長 ,  薄膜 ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  Ramanスペクトル ,  *二酸化バナジウム ,  六方晶窒化ホウ素

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六方晶窒化ホウ素 ,  VO2 ,  薄膜 ,  成長 ,  評価