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J-GLOBAL ID：202202277513473721   整理番号：22A2381629

サブ分子層の吸着水がGeO₂/Ge界面の電気特性に与える影響の超精密計測

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著者 (6件)： 佐野修斗 (大阪大) ,  和田陽平 (大阪大) ,  孫栄硯 (大阪大) ,  川合健太郎 (大阪大) ,  山村和也 (大阪大) ,  有馬健太 (大阪大)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2022  ページ： 20-21  発行年： 2022年07月08日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GeO₂/Ge構造は,Ge系の金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスタを作製する上で最も基本となる構造であるが,大気に曝露すると,GeO₂膜の吸湿に起因すると考えられる電気特性の劣化が起こるということが知られている.本研究では分子層レベルの水分子の吸着が,GeO₂/Geから成るMOSキャパシタの電気的性質に与える影響を調査した.(著者抄録)

シソーラス用語： *界面 ,  *吸着 ,  焼なまし ,  帯電 ,  脱着 ,  電圧 ,  半導体 ,  金 ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  湿度 ,  酸化膜 ,  二酸化ケイ素 ,  *電気特性 ,  水分子 ,  化成皮膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  分子 ,  吸着水 ,  GeO2 ,  Ge ,  界面 ,  電気特性 ,  精密計測