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J-GLOBAL ID：201502208549945155   整理番号：15A0812637

分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用

Spectro-electrochemical characterization of GaN/electrolyte interface and its application to the nanostructure formation

著者 (4件)： 熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  渡部晃生 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  谷田部然治 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 65(SDM2015 18-37)  ページ： 63-66  発行年： 2015年05月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光・電子デバイスの基板材料として優れた物性を有する窒化ガリウムについて,電解液界面の分光電気化学特性を評価した。光透過率は,電解液界面に形成される内部電界強度が増加するにつれて減少し,高電界下ではバンド端吸収が長波長側(低エネルギー側)へシフトした。この特異的な分光特性は,Franz-Keldysh効果を取り入れた理論解析により矛盾無く説明できることを明らかにした。さらに,得られた知見を光支援電気化学プロセスに応用し,窒化ガリウム多孔質ナノ構造の形状制御に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： 分光電気化学 ,  *窒化ガリウム ,  電解液 ,  固液界面 ,  *ナノ構造 ,  透過率 ,  光透過 ,  *Franz-Keldysh効果 ,  形状制御 ,  光透過率 ,  サーボ制御
準シソーラス用語： GaN

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電気化学反応  (CB07050F)

引用文献 (11件)：

• H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett., 48 (1986) 353.
• K. Fujii, T. Karasawa, K. Ohkawa, Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L543-L545.
• A. Uhlir, Bell Labs Tech. J. 35 (1956) 333-347.
• E. Alptekin, H. Yu, E. Ozbay, O. Aktas, J. Electron. Mater. 36 (2007) 629-633.
• Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe, T. Sato, J. Electrochem. Soc. 161 (2014) H705-H709.

タイトルに関連する用語 (7件)： 分光電気化学 ,  GaN ,  電解液 ,  界面 ,  評価 ,  構造形成 ,  応用