特許
J-GLOBAL ID：200903068024989126
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282570
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111092
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過する半導体受光素子において、受光感度の偏光依存性が小さい半導体受光素子を提供することにある。【解決手段】 光吸収層13が前記光吸収層13より小さな屈折率を有する一層以上の半導体層で構成される上部半導体層12と前記光吸収層13より小さな屈折率を有ナる一層以上の半体層で構成される下部半導体層14で挟まれた積層構造を有し、前記下部半導体層14側から入射した入射光が、前記光吸収層13を層厚方向に対し斜めに通過する半導体受光素子において、前記積層構造の各界面からの反射、透過光の総和によって決まる半導体受光素子の吸収層における受光感度としては前記入射光の偏光状態に対しほとんど等しくなるように、前記光吸収層の組成、層厚又は層数を調整したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
光吸収層が前記光吸収層より小さな屈折率を有する一層以上の半導体層で構成される上部半導体層と前記光吸収層より小さな屈折率を有する一層以上の半体層で構成される下部半導体層で挟まれた積層構造を有し、前記下部半導体層側から入射した入射光が、前記光吸収層を層厚方向に対し斜めに通過する半導体受光素子において、前記積層構造の各界面からの反射、透過光の総和によって決まる半導体受光素子の光吸収層における受光感度としては前記入射光の偏光状態に対しほとんど等しくなるように、前記光吸収層の組成、層厚又は層数を調整したことを特徴とする半導体受光素子。
Fターム (8件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA03
, 5F049NA20
, 5F049QA08
, 5F049SS04
, 5F049WA01
