金属酸化物薄膜の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283962
公開番号（公開出願番号）：特開2009-074178
出願日： 2008年11月05日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】積極的な加熱処理を伴うことなく、低温で、基材に緻密で均質な結晶質の金属酸化物膜を効果的に形成する技術を提供する。【解決手段】非晶質を含む金属酸化物膜を、温度180°C以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する。好ましい結晶性の金属酸化物薄膜としては、理論密度と比較した相対密度が90%以上であるものが挙げられる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

非晶質を含む金属酸化物膜を、温度180°C以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することを特徴とする、結晶性の金属酸化物薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/58 , C23C 14/08

FI (3件)：

C23C14/58 Z , C23C14/08 E , C23C14/08 D

Fターム (11件)：

4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA48 , 4K029BA50 , 4K029BB08 , 4K029BC01 , 4K029EA03 , 4K029EA06 , 4K029EA09 , 4K029GA02

引用特許：

出願人引用 (19件)

特開平4-149090号公報
固体撮像装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-001446 出願人：日本電気株式会社
タンタル酸化膜の形成方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-228675 出願人：三星電子株式会社

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審査官引用 (10件)

特開昭62-116773
光触媒材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076364 出願人：松下電工株式会社
特開昭63-243261

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