研究者
J-GLOBAL ID:200901015525803207   更新日: 2024年09月24日

長尾 昌善

ナガオ マサヨシ | Nagao Masayoshi
所属機関・部署:
職名: 研究グループ長
ホームページURL (1件): http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=M53036972
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  ナノ構造化学
研究キーワード (4件): 表面エレクトロニクス ,  真空ナノエレクトロニクス ,  フィールドエミッタアレイ ,  電界放出
競争的資金等の研究課題 (9件):
  • 2021 - 2024 耐熱・耐放射線真空電子デバイスの動作電圧低減による安定性確保と長寿命化
  • 2021 - 2024 微小電極間エレクトロスプレー現象解明による超小型宇宙推進機の多用途化
  • 2018 - 2020 推力密度の飛躍的な増加と冗長系の確保が可能な超小型エレクトロスプレー宇宙推進機
  • 2016 - 2018 300°C・10MGyの耐熱耐放射線性能を持つ電子・撮像デバイス用微小電子源の開発
  • 2014 - 2016 MEMS技術を用いた300GHz帯FW-TWTの開発
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論文 (205件):
  • Takeo Nakano, Kosuke Kimura, Yuto Iijima, Masato Takeuchi, Kei Oya, Masayoshi Nagao, Hisashi Ohsaki. Linear Relationship between Reactive Gas Flow Rate and Target Power at Mode Transitions in Reactive Sputtering. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2024
  • Hiromasa Murata, Katsuhisa Murakami, Masayoshi Nagao. Electron emission properties of titanium nitride coated volcano-structured silicon emitters. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2024. 42. 1
  • Masaya Yamamoto, Hiromasa Murata, Noriyuki Miyata, Hiroshi Takashima, Masayoshi Nagao, Hidenori Mimura, Yoichiro Neo, Katsuhisa Murakami. Low-Temperature Direct Synthesis of Multilayered h-BN without Catalysts by Inductively Coupled Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. ACS Omega. 2023
  • Hiromasa Murata, Kaoru Toko, Katsuhisa Murakami, Masayoshi Nagao. Impact of the Density and Oxygen Concentration of Initial Amorphous Carbon on Layer Exchange of Multilayer Graphene. Crystal Growth & Design. 2022. 22. 12. 7564-7568
  • Takeo Nakano, Hyuga Taniguchi, Nanako Dei, Makoto Ozawa, Md. Suruz Mian, Kei Oya, Katsuhisa Murakami, Masayoshi Nagao. Structure optimization of Spindt-type emitter fabricated by triode high power pulsed magnetron sputtering. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2022. 40. 6. 063201-063201
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MISC (99件):
  • Tomoaki Osumi, Ryosuke Hori, Masayoshi Nagao, Hiromasa Murata, Yasuhito Gotoh. Electron emission characteristics of field emitter arrays coated with over-stoichiometric hafnium nitride. 2023 IEEE 36th International Vacuum Nanoelectronics Conference. 2023
  • 鷹尾 祥典, 土屋 智由, 長尾 昌善, 村上 勝久. 超小型高推力密度エレクトロスプレースラスタの研究開発. 日本航空宇宙学会誌. 2019. 67. 1. 5-11
  • 嶋脇 秀隆, 長尾 昌善, 根尾 陽一郎, 三村 秀典, 高井 幹夫. シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 267. 5-8
  • 田口 広大, 村田 英一, 六田 英治, 下山 宏, 長尾 昌善, 村上 勝久. マルチエミッタ評価装置によるボルケーノ構造スピント型エミッタの動作チップの放出電流測定 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 267. 39-42
  • 森藤 瑛之, 辻 博司, 長尾 昌善, 秋吉 優史, 高木 郁二, 後藤 康仁. 高線量率のX線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 267. 43-46
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特許 (24件):
学歴 (3件):
  • 1996 - 1999 京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻博士課程
  • 1992 - 1994 京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学修士課程
  • 1988 - 1992 京都大学 工学部 電気系学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (7件):
  • 2015 - 現在 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 研究グループ長
  • 2014 - 2015 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 上級主任研究員
  • 2004 - 2014 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 主任研究員
  • 2001/04 - 2004 産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 研究員
  • 1999/04 - 2001/03 電子技術総合研究所 電子デバイス部 研究官
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委員歴 (10件):
  • 2009/04 - 2020/03 日本学術振興会 真空ナノエレクトロニクス第158委員会
  • 2018/01 - 2018/10 第31回国際真空ナノエレクトロニクス会議IVNC2018 実行委員会プログラム委員長
  • 2010/01 - 2014/12 ディスプレイ国際ワークショップ FEDワークショッププログラム委員
  • 2013/08 - 2014/08 国際ナノエレクトロニクス会議2014 組織委員
  • 2012/11 - 2014/03 文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター 専門調査委員
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受賞 (8件):
  • 2019/09 - 応用物理学会 講演奨励賞(共著) Graphene/h-BNを用いた原子層物質積層平面型電子源
  • 2017 - 応用物理学会 ポスター賞 ミニマルファブを用いたエレクトロスプレースラスタの試作
  • 2015 - International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC'15) Best Poster Award Beam profile measurement of volcano-structured double-gate Spinet-type field emitter arrays
  • 2009 - International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC'09) Best Paper Award Field emitter array with a built-in multi-electrode lens
  • 2008 - International Display Workshops (IDW'08) Best Paper Award Ultra-high luminance FED
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所属学会 (2件):
日本表面真空学会 ,  応用物理学会
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