財満鎭明

Zaima Shigeaki

研究分野 (1件)：薄膜、表面界面物性

競争的資金等の研究課題 (31件)：

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論文 (387件)：

MISC (265件)：

財満鎭明. エレクトロニクス実装学会と応用物理学会の連携に向けて. エレクトロニクス実装学会誌. 2020. 23. 1. P1-P1
Kazuki Senga, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka. Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2. 19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019. 2019
Galih Ramadana Suwito, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima. Crystalline and Electrical Properties of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Quantum Well Structures. 2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW). 2019
Yukihiro Imai, Kouta Takahashi, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa. Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates. 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings. 2018. 310-312
Kouta Takahashi, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa. Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator. 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings. 2018. 313-315

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (44件)：

Ultra-low resistance contact for n-type Ge[1-x]Sn[x] with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation (シリコン材料・デバイス)
(電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2019)
新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用
(表面科学学術講演会要旨集 2017)
金属/Ge界面へのIV族混晶半導体層挿入によるショットキー障壁高さの低減
(表面科学学術講演会要旨集 2016)
Si(001)基板上に形成したn型Ge1-xSnx薄膜の熱電特性評価
(表面科学学術講演会要旨集 2016)
Si(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長
(表面科学学術講演会要旨集 2016)

学位 (1件)：

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