研究者
J-GLOBAL ID：201001028699237524
更新日: 2024年09月19日
葛原 正明
Kuzuhara Masaaki
研究分野 (1件)：
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (2件)：
半導体デバイス
, Semiconductor Device
競争的資金等の研究課題 (7件)：
2014 - MIS構造窒化物半導体トランジスタの低損失高耐圧化に関する研究
2012 - 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
2011 - 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
2009 - 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究
2008 - 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究
2007 - MOVPE成長InNの高品質化と電子輸送特性の解明
2007 - 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究
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論文 (55件)：
A. Yamamoto, K. Kanatani, S. Makino, M. Kuzuhara. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlGaN directly on reactive-ion etching-treated GaN surfaces to prepare AlGaN/GaN heterostructure with high electron mobility (~1500 cm2V-1s-1): Impacts of reactive-ion etching-damaged layer removal. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 125501-(5)
Ryo Hattori, Osamu Oku, Ryuichi Sugie, Kazutsugu Murakami, Masaaki Kuzuhara. Optical discrimination of threading dislocations in 4H-SiC epitaxial layer by phase-contrast microscopy. Applied Physics Express. 2018. 11. 7. 075501-(3)
H. Tokuda, K. Suzuki, J. T. Asubar, M. Kuzuhara. Electron concentration in highly resistive GaN substrates co-doped with Si, C, and Fe. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 071001-(4)
Taisei Yamazaki, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara. Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors. Applied Physics Express. 2018. 11. 5. 054102
Akio Yamamoto, Shinya Makino, Keito Kanatani, Masaaki Kuzuhara. AlGaN/GaN heterostructures with an AlGaN layer grown directly on reactive-ion-etched GaN showing a high electron mobility (>1300cm2V%1s%1). Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 4. 045502
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MISC (92件)：
Maiko Hatano, Yuya Taniguchi, Shintaro Kodama, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara. Reduced gate leakage and high thermal stability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO2/Al2O3 gate dielectric stack. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2014. 7. 4. 044101
Hirokuni Tokuda, Toshikazu Kojima, Masaaki Kuzuhara. Over 3000 cm(2)V(-1) s(-1) room temperature two-dimensional electron gas mobility by annealing Ni/Al deposited on AlGaN/GaN heterostructures. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2014. 7. 4. 041001
Maiko Hatano, Yuya Taniguchi, Shintaro Kodama, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara. Reduced gate leakage and high thermal stability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO2/Al2O3 gate dielectric stack. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2014. 7. 4. 044101
Hirokuni Tokuda, Toshikazu Kojima, Masaaki Kuzuhara. Over 3000 cm(2)V(-1) s(-1) room temperature two-dimensional electron gas mobility by annealing Ni/Al deposited on AlGaN/GaN heterostructures. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2014. 7. 4. 041001
A. Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa, M. Kuzuhara. Phase separation of thick (~1 μm) In
x
Ga
1-x
N (x~0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN. Applied Physics Express. 2014. 7. 3. 035502
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特許 (2件)：
半導体装置
窒化物半導体装置のショットキー電極及びその製造方法
書籍 (7件)：
化学便覧 応用化学編 第7版
丸善出版 2013
パワーデバイス
丸善株式会社 2011 ISBN:9784621083390
エコマテリアルハンドブック
丸善株式会社 2006
高周波半導体材料・デバイスの新展開
シーエムシー出版 2006
マイクロ波回路技術者および研究者のためのCADプログラム
ミマツデータシステム 1998
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講演・口頭発表等 (71件)：
Enhancement-mode AlGaN/GaN vertical trench MOS-HEMTs using an AlGaN regrown layer
(IWN-2018 2018)
Study on breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates
(IWN-2018 2018)
AlGaN/GaN HEMTs fabricated using AlGaN regrowth on R=E-GaN surfaces
(IWN-2018 2018)
Threshold voltage hysteresis in GaN-based vertical trench MOSFETs
(IWN-2018 2018)
Impact of air annealing on performance of AlGaN/GaN MISHEMTs with recessed gate structures
(IWN-2018 2018)
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Works (8件)：
MIS構造窒化物半導体トランジスタの低損失高耐圧化に関する研究, 基盤研究(C)(一般)
2014 -
高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究, 基盤研究(C)(一般)
2012 -
窒化物系化合物半導体基板・エピタキシャル成長技術の開発
2007 - 2010
固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究, 基盤研究(B)(一般)
2009 -
MOVPE成長InNの高品質化と電子輸送特性の解明, 基盤研究(C)一般
2007 -
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学歴 (2件)：
1979 - 1981 京都大学 工学研究科 電気工学専攻
1974 - 1979 京都大学 工学部 電気工学科
学位 (1件)：
工学博士 (京都大学)
経歴 (4件)：
1998/07 - 2004/03 日本電気株式会社 中央研究所 研究部長
1991/07 - 1998/06 日本電気株式会社 中央研究所 研究課長
1981/04 - 1991/06 日本電気株式会社 中央研究所 担当員
1987/08 - 1988/08 University of Illinois Visiting Researcher
委員歴 (10件)：
2013 - 応用物理学会 フェロー会員
2007 - 2008 電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会 委員長
2005 - 2006 電子情報通信学会 電子デバイス研究会 副委員長
2005 - 2006 電子情報通信学会 評議員
2006 - 応用物理学会 編集委員
2005 - IEEE Fellow会員
2005 - IEEE Fellow会員
2004 - 応用物理学会 編集委員
1990 - 電子情報通信学会 一般会員
1981 - 応用物理学会 一般会員
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受賞 (7件)：
2014/04 - APEX/JJAP 2013年度APEX/JJAP編集貢献賞
2014/01 - 福井大学 優秀教員2013年度
2013/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー
2010/03 - APEX/JJAP 2009年度APEX/JJAP編集貢献賞
2010/01 - 福井大学 優秀教員2009年度
2005/01 - IEEE IEEE Fellow
2002/04 - 市村産業賞 市村産業賞功績賞
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所属学会 (4件)：
IEEE
, 電子情報通信学会
, 応用物理学会
, IEEE
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