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J-GLOBAL ID:200902198877059800   整理番号:99A0991389

Si基板上の3C-SiC成長中のミドギャップ準位の検討

Search for Midgap Levels in 3C-SiC Grown on Si Substrates.
著者 (5件):
資料名:
巻: 38  号: 10A  ページ: L1094-L1095  発行年: 1999年10月01日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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Si(001)基板上の3C-SiC中のミドギャップ付近の欠陥...
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分類 (2件):
分類
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不純物・欠陥の電子構造  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (3件):
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