文献

J-GLOBAL ID：200902226509880182   整理番号：07A0498623

低圧で高濃度のオゾンガス中におけるUV光照射による300°C以下でのシリコンの高速酸化

Rapid Oxidation of Silicon Using UV-Light Irradiation in Low-Pressure, Highly Concentrated Ozone Gas below 300 °C

著者 (9件)： NISHIGUCHI Tetsuya (Meidensha Corp., Shizuoka, JPN) ,  NISHIGUCHI Tetsuya (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SAITOH Shigeru (Meidensha Corp., Shizuoka, JPN) ,  KAMEDA Naoto (Meidensha Corp., Shizuoka, JPN) ,  KAMEDA Naoto (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MORIKAWA Yoshiki (Meidensha Corp., Shizuoka, JPN) ,  KEKURA Mitsuru (Meidensha Corp., Shizuoka, JPN) ,  NONAKA Hidehiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA Shingo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 5A  ページ： 2835-2839  発行年： 2007年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 損傷の無い超極薄(6nm以下)二酸化けい素(SiO<sub>...

シソーラス用語： オゾン ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (22件)：

• M. Goto, K. Azuma, T. Okamoto, and Y. Nakata: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)7033.
• Y. Ebiko and Y. Mishima: Proc. Asia Display/IDW’02, 2002, p. 271.
• T. Ueno, A. Morioka, S. Chikamura, and Y. Iwasaki: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000) L327.
• J.-Y. Zhang and I. W. Boyd: Appl. Phys. Lett.71(1997)2964.
• A. Fukano and H. Oyanagi: J. Appl. Phys.94(2003)3345.

タイトルに関連する用語 (6件)： 低圧 ,  高濃度 ,  オゾンガス ,  UV光 ,  シリコン ,  酸化