Si/SiO<sub>2</sub>界面を横切る水素および重水素のシリコン中への浸入に対する同位体効果

MURAKAMI Kouichi; FUKATA Naoki; FUKATA Naoki; ISHIOKA Kunie; KITAJIMA Masahiro; KITAJIMA Masahiro; UCHIDA Noriyuki; MORISAWA Kunitomo; MORIHIRO Haruhito; SHIRAKAWA Ryota; TSUJIMURA Masatoshi

文献

J-GLOBAL ID：200902259768128028 整理番号：09A1035288

Si/SiO₂界面を横切る水素および重水素のシリコン中への浸入に対する同位体効果

Isotope Effect of Penetration of Hydrogen and Deuterium into Silicon through Si/SiO₂ Interface

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巻： 48 号： 9,Issue 1 ページ： 091204.1-091204.4 発行年： 2009年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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Si/自然酸化層SiO₂の間の界面を横切って,結晶シリコンに浸入する水素(H)および重水素(D)同位体に関する新しい濾過効果を見出した。混合ガスに関しては,DよりもHの方が多くSiに浸入することが分かった。この効果は,自然酸化膜を持つSiウエハのHとDから成る混合原子処理,および水素分子(H₂,HDあるいはD₂)のRaman散乱法と二次イオン質量分析法による系統的な測定によって明らかにされた。この現象は,自然酸化膜のSiO₂と結晶Siの間の界面に形成される中間的なクラスタ状態に因るHおよびDの同位体濾過モデルに基づいて暫定的に説明される。(翻訳著者抄録)

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引用文献 (18件)：

Ph. Avouris, R. E. Walkup, A. R. Rossi, T.-C. Chen, G. C. Abeln, J. R. Tucker, and J. W. Lyding: Chem. Phys. Lett.257(1996)148.
J. W. Lyding, K. Hess, and I. C. Kizilyalli: Appl. Phys. Lett.68(1996)2526.
C. G. Van de Walle and W. B. Jackson: Appl. Phys. Lett.69(1996)2441.
M. Budde, G. Lupke, E. Chen, X. Zhang, N. H. Tolk, L. C. Feldman, E. Tarhan, A. K. Ramdas, and M. Stavola: Phys. Rev. Lett.87(2001)145501.
Chevallier, M. Barbe, E. Constant, D. Loridant-Bernard, and M. Constant: Appl. Phys. Lett.75(1999)112.

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