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J-GLOBAL ID：200902266835595805   整理番号：06A0330934

中性ビームエッチングを使用した垂直チャネルダブルゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの製作

Fabrication of a Vertical-Channel Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Using a Neutral Beam Etching
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著者 (14件)：
ENDO Kazuhiko

ENDO Kazuhiko について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
NODA Shuichi

NODA Shuichi について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

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MASAHARA Meishoku

MASAHARA Meishoku について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
KUBOTA Tomohiro

KUBOTA Tomohiro について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
OZAKI Takuya

OZAKI Takuya について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

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SAMUKAWA Seiji

SAMUKAWA Seiji について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

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LIU Yongxun

LIU Yongxun について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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ISHII Kenichi

ISHII Kenichi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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ISHIKAWA Yuki

ISHIKAWA Yuki について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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SUGIMATA Etsuro

SUGIMATA Etsuro について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
MATSUKAWA Takashi

MATSUKAWA Takashi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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TAKASHIMA Hidenori

TAKASHIMA Hidenori について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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YAMAUCHI Hiromi

YAMAUCHI Hiromi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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SUZUKI Eiichi

SUZUKI Eiichi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 45  号： 8-11  ページ： L279-L281  発行年： 2006年03月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シソーラス用語：
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*MOSFET

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FinFET

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分類 (2件)：
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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中性ビーム

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垂直チャネル

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ダブルゲート

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酸化物

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電界効果トランジスタ

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製作

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