文献

J-GLOBAL ID：200902280555376507   整理番号：05A0624507

キャリア分離法を用いたhigh-k stackゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析

Carrier separation analysis for clarifying carrier conduction and degradation mechanisms in high-k stack gate dielectrics

著者 (10件)： 水林亘 (半導体MIRAI-産総研ASRC) ,  安田直樹 (半導体MIRAI-ASET) ,  岡田健治 (半導体MIRAI-ASET) ,  太田裕之 (半導体MIRAI-産総研ASRC) ,  堀川剛 (半導体MIRAI-産総研ASRC) ,  岩本邦彦 (半導体MIRAI-ASET) ,  生田目俊秀 (半導体MIRAI-ASET) ,  佐竹秀喜 (半導体MIRAI-ASET) ,  鳥海明 (半導体MIRAI-産総研ASRC) ,  鳥海明 (東大)
資料名： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EFM-05  号： 22-34  ページ： 19-24  発行年： 2005年 
JST資料番号： Z0970A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ゲート絶縁膜を高誘電率膜に置き換える場合に,リーク電流機構と...

シソーラス用語： *絶縁膜 ,...
準シソーラス用語： キャリア分離法 ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (9件)：

• CHANG, C. Quantum yield of electron impact ionization in silicon. J. Appl. Phys. 1985, 57, 302-309
• TAKAGI, S. Experimental evidence of inelastic tunneling in stress-induced leakage current. IEEE Trans. Electron Dev. 1999, 46, 335-341
• LOH, WY. Analysis of charge trapping and breakdown mechanism in high-k dielectrics with metal gate electrode using carrier separation. Digest of the 2003 International Electron Devices Meeting, San Francisco, USA, 12. 2003, 927-930
• NABATAME, T. Design and proof of high quality HfAlO_X film formation for MOSCAPs and nMOSFETs through layer-by-layer deposition and annealing process. Digest of the 2003 Symposium on VLSI Technology, Kyoto, Japan, 6. 2003, 25-26
• MIYAZAKI, S. Photoemission study of energy-band alignments and gap-state density distributions for high-k gate dielectrics. J. Vac. Sci. Technol. B. 2001, 19, 2212-2216

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリア ,  分離法 ,  ゲート絶縁膜 ,  伝導 ,  絶縁性 ,  解析