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J-GLOBAL ID：200902290391990689   整理番号：09A0100577

F₂表面処理したHfO₂/Ge MIS構造の電気的特性評価

Electrical characterization of HfO₂/Ge MIS structure treated by fluorine gas

著者 (5件)： 今庄秀人 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  LEE Hyun (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  吉岡祐一 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 335(SDM2008 184-195)  ページ： 59-64  発行年： 2008年11月28日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている。しかし,C-V特性,リーク電流などの電気的特性は,Si MIS構造と比較して非常に劣っている。そこでF₂処理により界面のダングリングボンドを終端し,電気的特性の改善と,界面準位の低減を試みた。High-k材料としてよく用いられているHfO₂薄膜を光MOCVD法により作製した。F₂処理はHfO₂堆積直前にGe表面へF₂(5%)ガスを曝すことで行った。C-V,J-V特性の測定結果から,F₂処理により電気的特性が改善されることがわかった。さらに,HfO₂/Ge MIS界面準位をDLTSにより評価し,Ge界面のバンドギャップ中の準位を求めた。その結果,F₂処理によりバンドギャップ全体にわたり,界面準位が低減するということがわかり,F₂処理が界面準位を低減することが示された。(著者抄録)

シソーラス用語： フッ素 ,  表面処理 ,  酸化ハフニウム ,  ゲルマニウム ,  *MIS構造 ,  電気特性 ,  キャラクタリゼーション ,  深準位過渡分光法 ,  表面準位 ,  MOCVD ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  エネルギー分布
準シソーラス用語： 界面準位 ,  光MOCVD

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (17件)：

• WILK, G. D. Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics. J. Appl. Phys. 2000, 87, 484
• QI, W.-J. Ultrathin zirconium silicate film with good thermal stability for alternative gate dielectric application. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1704
• MANCHANDA, L. Si-doped aluminates for high temperature metal-gate CMOS : Zr-Al-Si-O, a novel gate dielectric for low power applications. International Electron Devices Meeting 2000. 2000, 23
• YAMAGUCHI, T. Band diagram and carrier conduction mechanism in ZrO_2/Zr-silicate/Si MIS structure fabricated by pulsed-laser-ablation deposition. International Electron Devices Meeting, 2000, December. 2000, 19
• STEMMER, S. Structure and stability of La_2O_3/SiO_2 layers on Si(001). J. Appl. Phys. 2001, 79, 102

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面処理 ,  HfO2 ,  Ge ,  MIS構造 ,  電気的特性 ,  評価