特許
J-GLOBAL ID：200903000137126953
SEM式レビュー装置並びにSEM式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-214499
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041940
出願日： 2006年08月07日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】検査装置で検出された多数の欠陥候補より詳細検査又は観察を行うポイントを効率よく絞り込むと共に詳細検査又は観察を行ったポイントの座標を高精度に求めてパターンの微細化に対応させて半導体ウェーハの製造状態の管理を行うことができるようにした。【解決手段】検査装置で出力した多数の欠陥候補の座標についてアライメント誤差補正を施し、該施された多数の欠陥候補の座標とホットスポット等の着目ポイントとの間の距離に基づいて詳細検査・観察ポイントを選択し、詳細検査装置でその位置の画像およびその近傍の画像を撮像し、撮像した画像より検査装置で検出した欠陥の詳細な座標位置を求め、取得した画像と詳細な欠陥座標位置をもとに選択した欠陥がプロセス管理に重要な欠陥であるか否かを判定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを載置するXYステージと、電子線を前記半導体ウェーハ上に照射する電子線照射光学系及び前記半導体ウェーハから発生する2次電子若しくは反射電子を検出する電子検出器を有する顕微鏡とを備えたSEM式レビュー装置を用いた、投入される半導体ウェーハ上の複数の欠陥候補から詳細検査又は観察を行う欠陥を選択して詳細検査又は観察を行う欠陥のレビュー方法であって、
検査装置で検査されて得られる前記投入される半導体ウェーハ上の複数の欠陥候補の位置情報並びに該半導体ウェーハ上に形成されたパターンのCADデータをSEM式レビュー装置に入力する入力過程と、
該入力過程で入力された前記投入される半導体ウェーハ上の複数の欠陥候補の位置情報についての前記CADデータ上における位置情報を算出する欠陥候補位置算出過程と、
該欠陥候補位置算出過程において算出したCADデータ上における複数の欠陥候補の位置情報を基に前記詳細検査又は観察を行う欠陥を選択する欠陥選択過程とを有することを特徴とするSEM式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001GA06
, 2G001HA07
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB02
, 4M106DB04
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DB20
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
