ガリウムリッチな窒化ガリウム膜の製造プロセス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：清水初志 , 橋本一憲 , 新見浩一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-505269
公開番号（公開出願番号）：特表2005-529484
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

ガリウムリッチな窒化ガリウム膜の製造プロセスについて記述する。このプロセスは、(a) ガリウム種と窒素種が相互に反応する際、窒化ガリウムが形成されるように選択される、ガリウム種と窒素種とを含有する反応混合物を調製する工程と、(b) 約480°C〜約900°Cの温度でかつ酸素分圧が10-4 Torr未満であるガス環境の存在下で、ガリウム種を窒素種と反応可能として、シリコン、ガラス、サファイア、石英および酸化亜鉛を含む、窒化ガリウムに厳密に格子整合した格子定数を有する結晶性物質からなる群より選択される基板上に、選択的に酸化亜鉛のバッファ層とともに、窒化ガリウムを堆積可能とすることにより、反応混合物からガリウムリッチな窒化ガリウム膜を成長させる工程とを含み、ガリウムリッチな窒化ガリウム膜中の窒素原子に対するガリウム原子の比率が1.01〜1.20となる。本発明により同様に、ガリウムリッチな窒化ガリウム膜を、約20°C〜約650°Cの温度で、膜が導電性となるように膜の抵抗率を、例えば、100 Ω・cm未満の抵抗率に低下させるのに十分な時間焼鈍する選択肢も提供される。

請求項（抜粋）：

以下を含む、ガリウムリッチな窒化ガリウム膜中の窒素原子に対するガリウム原子の比率が1.01〜1.20となる、ガリウムリッチな窒化ガリウム膜の製造プロセス: - (a) ガリウム種と窒素種が相互に反応する際、窒化ガリウムが形成されるように選択される、ガリウム種と窒素種とを含有する反応混合物を調製する工程;および - (b) 約480°C〜約900°Cの温度でかつ酸素分圧が10-4 Torr未満であるガス環境の存在下で、ガリウム種を窒素種と反応可能として基板上に窒化ガリウムを堆積可能とすることにより、該反応混合物からガリウムリッチな窒化ガリウム膜を成長させる工程。

IPC (3件)：

H01L21/205 , C01B21/06 , C23C16/34

FI (3件)：

H01L21/205 , C01B21/06 A , C23C16/34

Fターム (34件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030FA07 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA49 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF06 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DP03 , 5F045DQ10

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体の製造方法及び半導体の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-233982 出願人：富士ゼロックス株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-204949 出願人：株式会社東芝
窒化化合物半導体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-009691 出願人：三洋電機株式会社

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