特許
J-GLOBAL ID：200903002567465320

半導体装置とその製造方法

発明者：
渡邉 健一

渡邉 健一 について

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駒田 大輔

駒田 大輔 について

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新福 文彦

新福 文彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

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富士通ヴィエルエスアイ株式会社

富士通ヴィエルエスアイ株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221202
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043417
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置を提供することである。【解決手段】 半導体装置は、導電性領域を有する下地と、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第1の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線とを有し、層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第1種の絶縁層と、第1種の絶縁層よりも下に配置され、第1種の絶縁層とエッチング特性の異なる第2種の絶縁層とを含む。
請求項（抜粋）：
表面に導電性領域を有する下地と、前記下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜と、前記絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面から第1の深さで形成された配線用溝と、前記配線用溝底面から、前記層間絶縁膜の残りの厚さおよび前記絶縁性エッチストッパ膜を貫通し、前記導電性領域に達する接続用孔と、前記配線用溝および前記接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線と、を有し、前記層間絶縁膜が前記配線用溝の側面および底面を包む第1種の絶縁層と、前記第1種の絶縁層よりも下に配置され、第1種の絶縁層とエッチング特性の異なる第2種の絶縁層とを含む半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/88 K
Fターム (68件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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