特許
J-GLOBAL ID：200903002712208315

窒化物半導体発光素子

発明者：
中原 健

中原 健 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015259
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200995
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】電極に使用する金属の反射率に関係なく、光の取り出し効率を高めて、出射光の照射角度が広がりを持つような窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光領域としてのMQW活性層3を挟むようにしてn側反射防止層2とp側ブラッグ反射層4が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。n側反射防止層2の上には、n電極1が形成され、p側ブラッグ反射層4の下側には、p電極5、反射膜7、パッド電極8が形成され、導電性接合層9を介して支持基板10に接合されている。n側反射防止層2及びp側ブラッグ反射層4は、コンタクト層の役割も兼ねている。光の取り出し方向には、n側反射防止層2が配置され、光の取り出し方向と反対側にはp側ブラッグ反射層4が配置されているので、光の取り出し効率が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともn側電極、n型窒化物半導体層、発光領域、p型窒化物半導体層、p側電極とを順に備えた窒化物半導体発光素子において、 前記n型窒化物半導体層は反射防止層で、前記p型窒化物半導体層はブラッグ反射層で構成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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