特許
J-GLOBAL ID：200903002833254586
磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193230
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032780
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】新たなキャップ層の構成を採用することで、MR比を向上させたりキャップ層表面のクリーニング時間を短縮させたりする。【解決手段】TMR素子2を構成する磁気抵抗効果層24〜27の最上層のフリー層27の上面に、保護膜として、キャップ層28を形成する。上部磁気シールド層を兼ねる上部電極31は、上部金属層29を介して、フリー層27と電気的に接続される。キャップ層28は、フリー層27側の金属層28aと、キャップ層28の最表面側の金属層28bとの、2層膜で構成される。金属層28aは、Zr,Hf等の、Ruより酸素との結合エネルギーの高い材料で構成される。金属層28bは、貴金属等の、酸素との結合エネルギーの低い材料で構成される。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基体の一方の面側に形成され酸化物層を含む磁気抵抗効果層と、該磁気抵抗効果層の前記基体とは反対側の面に形成されたキャップ層と、を備え、
前記キャップ層は2層以上の導電層で構成され、
前記2層以上の導電層のうち、最も前記基体とは反対側に形成された導電層以外の少なくとも1層の導電層は、酸素との結合エネルギーがRuより大きくかつ酸素との結合エネルギーが前記酸化物層と前記キャップ層との間の磁性層を構成する元素より大きい元素を含む材料で、構成されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L43/08 H
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA21
