特許
J-GLOBAL ID:200903003037707699
多層配線基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 辰彦 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-241938
公開番号(公開出願番号):特開2003-229671
出願日: 2002年08月22日
公開日(公表日): 2003年08月15日
要約:
【要約】【課題】コンデンサ素子を内蔵して設計自由度を向上させ、配線を高密度化できる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】金属箔1に誘電体を含むペースト2を塗布、焼成して誘電体層3を形成する。誘電体層3上に導電ペーストを塗布、乾燥して、第1の導電体層4aと接続部4bとを形成する。金属箔1に絶縁体層6を介して導電体層8a,8bを積層し一体化し、層間接続5,16を形成する。金属箔1をエッチングし、被覆部11aと配線部11bとを備える配線パターン10a,10bを形成し、コンデンサ素子12を形成する。層間接続5はバンプ5により形成する。層間接続16は穴部14をめっき層15で被覆して形成する。配線パターン11aに能動素子17を実装し、絶縁体層20a、20b、金属箔21を積層して一体化する。金属箔21、配線パターン11aの層間接続24を形成する。金属箔21をエッチングして配線パターン21aを形成する。
請求項(抜粋):
第1の金属箔の表面の所定の位置に金属酸化物からなる誘電体を含むペーストを塗布した後、該ペーストを非酸化雰囲気中で焼成して誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に導電ペーストを塗布し、乾燥して、該誘電体層を被覆する第1の導電体層を形成すると共に、該第1の導電体層を前記第1の金属箔に接続する接続部を形成する工程と、前記第1の金属箔の前記誘電体層が形成された面に、該誘電体層よりも誘電率の低い第1の絶縁体層を介して第2の導電体層を積層し、該第1の金属箔と、第1の絶縁体層と、第2の導電体層とを一体化する工程と、前記第1の金属箔と前記第2の導電体層とを接続する層間接続を形成する工程と、前記第1の金属箔をエッチングして、前記誘電体層を被覆する被覆部と、該被覆部から分離して形成され前記接続部を介して前記誘電体層に接続する配線部とを含む所定の第1の配線パターンを形成する工程とを備え、前記被覆部と前記第1の導電体層との間に前記誘電体層が挟持されてなる内蔵コンデンサ素子を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/46
, H05K 1/16
, H05K 3/40
FI (4件):
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 N
, H05K 1/16 D
, H05K 3/40 K
Fターム (50件):
4E351AA01
, 4E351BB03
, 4E351BB29
, 4E351BB31
, 4E351CC35
, 4E351DD04
, 4E351DD12
, 4E351DD17
, 4E351DD19
, 4E351DD31
, 4E351GG06
, 4E351GG20
, 5E317AA24
, 5E317BB02
, 5E317BB03
, 5E317BB12
, 5E317CC25
, 5E317CD27
, 5E317GG11
, 5E317GG14
, 5E346AA02
, 5E346AA06
, 5E346AA13
, 5E346AA15
, 5E346AA27
, 5E346AA43
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC21
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346EE06
, 5E346EE07
, 5E346EE08
, 5E346EE09
, 5E346EE13
, 5E346EE18
, 5E346EE20
, 5E346FF07
, 5E346FF18
, 5E346FF24
, 5E346FF45
, 5E346GG07
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346HH22
, 5E346HH24
, 5E346HH25
, 5E346HH40
引用特許:
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