特許
J-GLOBAL ID：200903003053821396
偏光レチクル・フォトリソグラフィ・システム、及び偏光レチクルを偏光とともに用いてパターンを形成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 田中 英夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-540038
公開番号（公開出願番号）：特表2007-511799
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
偏光レチクル、偏光レチクルを用いたフォトリソグラフィ・システム及びこうしたシステムを用いる方法が開示される。少なくとも1つの第2パターン領域によって少なくとも部分的に囲まれた少なくとも1つの第1パターン領域を含むレチクルを有する偏光レチクルが形成される。偏光レチクルの第1パターン領域は偏光材料を含み、偏光レチクルの第2パターン領域も偏光材料を含む。2つの領域の偏光材料の偏光方向は一般に互いに直交する。選択された偏光方向を有する直線偏光を用いて偏光レチクルを照射すると、偏光レチクルの2つの領域の偏光材料がフィルタとして選択的に用いられ、最適照明条件の下で偏光レチクルの異なる領域を個別に露光することができる。【選択図】 図3A
請求項（抜粋）：
偏光レチクルであって、
少なくとも1つの第2パターン領域によって少なくとも部分的に囲まれた少なくとも1つの第1パターン領域を備えてなり、前記少なくとも1つの第1パターン領域及び前記少なくとも1つの第2パターン領域がそれぞれ、異なる規定されたパターンを有するレチクルと、
前記レチクルの前記少なくとも1つの第1パターン領域の少なくとも一部分の上に配置され且つ第1偏光方向を有する偏光材料と、
前記レチクルの前記少なくとも1つの第2パターン領域の少なくとも一部分の上に配置され、前記第1偏光方向に対して一般に直交する第2偏光方向を有する偏光材料と、
を具備する偏光レチクル。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20
, H01L 21/027
G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 515F
2H095BA01
, 2H095BB01
, 2H095BB31
, 2H095BC04
, 2H095BC24
, 2H095BC27
, 5F046BA03
, 5F046CB11
, 5F046CB15
, 5F046CB17
, 5F046CB23
