多層フォトレジスト系

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：千田稔 , 辻永和徳 , 橋本幸治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-389094
公開番号（公開出願番号）：特開2004-177952
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】プラズマエッチング耐性、反射防止性の高い、高分解能のケイ素含有フォトレジスト系を提供する。【解決手段】下層に芳香族及び/又は脂環式基を含む構造成分と発色団基を含む構成成分からなり、上層レジストは、光活性成分とケイ素含有構成成分からなる。発色団基は、アントラセン基を含み、脂環式基は、アダマンチル、ノルボルニル、イソボルニル基のいずれかを含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

a)基体上の有機の下層組成物コーティング層であって、前記下層組成物が芳香族および/または脂環式基を含む構成成分と1つ以上の発色団基を含む構成成分を含むコーティング層、および b)前記下層組成物コーティング層の上のフォトレジスト組成物コーティング層であって、前記フォトレジストが光活性構成成分とSi含有構成成分を含むコーティング層を含む被覆された基体。

IPC (3件)：

G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/11 503 , G03F7/075 511 , H01L21/30 502R

Fターム (16件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BD54 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB28 , 2H025CB32 , 2H025DA34 , 2H025DA40 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (7件)

米国特許第5,075,199号明細書
米国特許第4,968,581号明細書
米国特許第4,810,613号明細書

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審査官引用 (8件)

ポジ型レジスト積層物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-331568 出願人：富士写真フイルム株式会社
パターン形成方法およびパターン形成用多層膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-244094 出願人：ジェイエスアール株式会社
反射防止膜形成組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-325670 出願人：ジェイエスアール株式会社

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