半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226648
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067689
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上に形成される半導体素子の所定領域に高融点金属のシリサイド層を形成する半導体装置の製造方法において、シリサイド化反応の阻害を防ぎ、膜厚の薄い低抵抗のシリサイド層を好適に形成する。【解決手段】チタン膜107上に、膜応力が1×1010dyne/cm2以下の窒化チタン膜108を形成し、その後の熱処理によりチタンシリサイド層109を形成する。窒化チタン膜108中の窒素量は原子数でチタンの30%以上80%以下とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成される半導体素子の所定領域に高融点金属のシリサイド層を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン基板に素子分離用の酸化膜とゲート酸化膜とを形成し、該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極の側面に絶縁膜からなるストッパを形成する工程と、前記シリコン基板に不純物を導入してソース・ドレインの拡散層を形成する工程と、全面に第1の高融点金属膜を被着する工程と、その上に前記第1の高融点金属膜に窒素を含む第2の高融点金属膜を被着する工程と、窒素原子を含まない雰囲気で熱処理を行って前記第1の高融点金属膜とゲート電極及び拡散層との接触界面に高融点金属シリサイド層を形成する工程と、前記第lの高融点金属膜および前記第2の高融点金属膜を除去する工程と、熱処理して前記高融点金属シリサイド層を相転移させる工程とを含み、前記第2の高融点金属膜中の膜応力が1×1010dyne/cm2以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-263906 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-283645 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-111665

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