特許
J-GLOBAL ID：200903006997992656

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

発明者：
斉 藤 好 昭

斉 藤 好 昭 について

, 
杉 山 英 行

杉 山 英 行 について

, 
井 口 智 明

井 口 智 明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-126682
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299931
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】微細化しても熱安定性を有するとともに低電流密度で磁気記録層の磁化の反転を可能にする。【解決手段】磁化の向きが固着された磁化固着層8と、磁化の向きが可変の磁化自由層12と、磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたトンネル絶縁層10と、磁化固着層に対してトンネル絶縁層と反対側に設けられた第1反強磁性層6と、磁化自由層に対してトンネル絶縁層と反対側に設けられ第1反強磁性層よりも膜厚の薄い第2反強磁性層14と、を備え、磁化自由層にスピン偏極した電子を注入することにより磁化自由層の磁化の向きが反転可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化の向きが固着された磁化固着層と、磁化の向きが可変の磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたトンネル絶縁層と、前記磁化固着層に対して前記トンネル絶縁層と反対側に設けられた第1反強磁性層と、前記磁化自由層に対して前記トンネル絶縁層と反対側に設けられ前記第1反強磁性層よりも膜厚の薄い第2反強磁性層と、を備え、前記磁化自由層にスピン偏極した電子を注入することにより前記磁化自由層の磁化の向きが反転可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (40件)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD33 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BE06 ,  5F092BE25 ,  5F092EA06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,256,223号明細書
審査官引用 (9件)
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