特許
J-GLOBAL ID：200903007429007020
ICマイクおよびICマイクの振動板形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151283
公開番号（公開出願番号）：特開2002-345089
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 高濃度不純物層(エッチストップ層)形成後の熱処理によって生じるエッチストップの効果の低下を抑制し、高濃度不純物層形成後の熱処理が原因の座屈を防ぐことができるICマイクの振動板形成方法およびICマイクを提供すること。【解決手段】 コンデンサ型マイクの振動板形成のためのエッチング処理におけるエッチング量の制御に用いる高濃度不純物層を所定の第1の温度下で形成するための高濃度層形成工程と、高濃度層形成工程の後に所定の第2の温度下でエッチングマスクを形成するマスク形成工程とを備え、第2の温度が第1の温度よりも低い構成を有している。ここで、第2の温度は、900°C以上1000°C以下の温度範囲のいずれかの温度である。
請求項（抜粋）：
基板のエッチングを停止させるエッチストップ層を所定の第1の温度下で形成するエッチストップ層形成工程と、前記エッチストップ層形成工程の後に所定の第2の温度下でエッチングマスクを形成するマスク形成工程とを備え、前記第2の温度が前記第1の温度よりも低いことを特徴とするICマイクの振動板形成方法。
IPC (4件)：
H04R 19/04
, B81C 1/00
, H01L 29/84
, H04R 31/00
H04R 19/04
, B81C 1/00
, H01L 29/84 Z
, H04R 31/00 C
4M112AA01
, 4M112AA06
, 4M112BA07
, 4M112CA03
, 4M112DA04
, 4M112DA11
, 4M112DA12
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA10
, 4M112FA20
, 5D021CC02
, 5D021CC20
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
前のページに戻る
