特許
J-GLOBAL ID：200903007627545991
半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395404
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343889
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率のTaON誘電体膜を利用して高集積メモリ素子に適したキャパシタを製造できる半導体素子のキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板21を提供する段階と、前記半導体基板上にMPS(Meta-Stable-Silicon)35を有する下部電極を形成する段階と、前記下部電極を550乃至660°Cの温度と燐(P)ガス雰囲気下で熱ドーピングを行う段階と、前記下部電極上にTaON誘電体膜37を形成する段階と、前記TaON誘電体膜上に上部電極39を形成する段階とを含んでなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板上にMPS(Meta-Stable-Silicon)を有する下部電極を形成する段階と、前記下部電極を550乃至660°Cの温度と燐(phosphorus)ガス雰囲気下で熱ドーピングを行う段階と、前記下部電極上にTaON誘電体膜を形成する段階と、前記TaON誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 651
5F083AD24
, 5F083AD62
, 5F083JA05
, 5F083JA06
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA08
, 5F083PR33
, 5F083PR34
, 5F083PR40
