特許

J-GLOBAL ID：200903008105983910

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子

発明者： 松下 保彦 ,  中澤 崇一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-017103
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310766
出願日： 2006年01月26日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】 オフ角度の大きな窒化ガリウム基板を使用しても、スロープ効率が大きく、素子抵抗が減少し、駆動電圧を低減でき、しかも、製造歩留まりが高く、バラツキが少なく、高出力の青紫色の光を発することができる窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法及びこの製造方法で作製された化合物半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法は、窒化ガリウム基板の結晶成長面として(0001)Ga面の<1-100>方向に絶対値で0.16度以上5.0度以下傾斜した面、又は、(0001)Ga面の<1-100>方向へのオフ角度をAとし、(0001)Ga面の<11-20>方向へのオフ角度をBとした場合の(A2+B2)の平方根が0.17以上7.0以下である面を用い、かつ活性層を0.5Å/秒以上5.0Å/秒以下の成長速度で成長させることを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を作製する方法であって、前記窒化ガリウム基板の結晶成長面として(0001)Ga面の<1-100>方向に絶対値で0.16度以上5.0度以下傾斜した面を用い、かつ活性層を0.5Å/秒以上5.0Å/秒以下の成長速度で成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S5/343 610 ,  H01L21/205

Fターム (11件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AF04 ,  5F045CA11 ,  5F173AA05 ,  5F173AA47 ,  5F173AH22 ,  5F173AK08 ,  5F173AL04 ,  5F173AP06

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 結晶基板とそれを用いた半導体装置およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-029825   出願人：日本電信電話株式会社
• 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022181   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-192721   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-143179   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

• 窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005385   出願人：シャープ株式会社
• GaN系化合物半導体エピウェハ及びそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-161782   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-284859   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法、および窒化物系半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186544   出願人：株式会社東芝