半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028561
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229546
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】デバイス面積の縮小が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、穴29を有する配線27と、この配線27上に配置された記憶素子30と、この記憶素子30と接続し、配線27と離間して穴29を通る接続部材34,26とを具備する。

請求項（抜粋）：

穴を有する配線と、前記配線と接して又は離間して配置された記憶素子と、前記記憶素子と接続し、前記配線と離間して前記穴を通る接続部材とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 21/768 , H01L 27/00 301 , H01L 43/08

FI (4件)：

H01L 27/00 301 C , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447 , H01L 21/90 A

Fターム (17件)：

5F033KK01 , 5F033MM21 , 5F033MM22 , 5F033NN38 , 5F033NN40 , 5F033QQ08 , 5F033QQ13 , 5F033UU05 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033XX03 , 5F083FZ10 , 5F083GA10 , 5F083KA05 , 5F083KA20 , 5F083MA06 , 5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-161755
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平2-411889 出願人：沖電気工業株式会社
完全閉磁束作用を備える不揮発性磁気抵抗メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-525006 出願人：インテグレイテッドマイクロトランスデューサーエレクトロニクスコーポレイション

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