特許
J-GLOBAL ID：200903009318480365

半導体パッケージ及びその製造方法

発明者：
中村 順一

中村 順一 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  島田 哲郎 ,  樋口 外治 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-214904
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196860
出願日： 2005年07月25日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 外部接続端子或いは半導体素子載用端子を、鉛の使用量を低減した端子で構成し環境問題の改善を図ると共に、端子の微細ピッチ化を達成することのできる半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 複数の絶縁樹脂層からなる基板と、基板の最上面に形成された半導体素子搭載用端子18と、最下面上に形成された外部接続用端子12とを有する半導体パッケージにおいて、外部接続用端子12は、パッケージの最下面から下方に突出したバンプとして構成され、バンプの内部は絶縁樹脂14で充填され、表面は金属16で覆われ、この金属と半導体素子搭載用端子18との間を電気的に接続する導体ビア26aを含む配線24、26とを具備する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1の面及び該第1の面とは反対側に第2の面を有する少なくとも1つの絶縁樹脂層と配線層とが積層された基板と、 該基板の前記第1の面上に形成された半導体素子搭載用の第1の端子と、 該基板の前記第2の面上に形成された外部接続用の第2の端子と、 前記第1の端子と第2の端子との間を電気的に接続する配線層間ビアを含む導体ビアと、を具備してなり、 前記第1及び第2の端子の少なくとも一方は、前記第1又は第2の面から突出したバンプとして構成され、該バンプの内部は絶縁樹脂で充填され、表面は金属層で覆われてなることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60
FI (2件)：
H01L23/12 501Z ,  H01L21/60 311Q
Fターム (7件)：
5F044KK02 ,  5F044KK07 ,  5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ01 ,  5F044QQ06
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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