半導体装置搭載用配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージ

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：宮崎昭夫 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207767
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064082
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】半導体デバイスの端子の増加や狭ピッチ化に対応した高密度化、微細配線化を実現でき、かつ、システムの小型化、高密度化に対応した外部電極の狭ピッチ化を実現でき、しかも実装信頼性に優れた半導体装置搭載用配線基板を提供する。【解決手段】半導体装置搭載用配線基板において、単一層である絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた配線と、前記絶縁層の下面側に設けられた電極であって少なくとも電極上端の側面周囲が前記絶縁層に接し且つ少なくとも電極下面が前記絶縁層に接しないように設けられ、電極下端が前記絶縁層の下面から突出している電極と、前記電極の上面上に位置しこの電極と前記配線とを導通するように前記絶縁層内に設けられたヴィアと、前記絶縁層の表面に設けられた支持体とを有する構成にする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

単一層である絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた配線と、前記絶縁層の下面側に設けられた電極であって少なくとも電極上端の側面周囲が前記絶縁層に接し且つ少なくとも電極下面が前記絶縁層に接しないように設けられ、電極下端が前記絶縁層の下面から突出している電極と、前記電極の上面上に位置しこの電極と前記配線とを導通するように前記絶縁層内に設けられたヴィアと、前記絶縁層の表面に設けられた支持体とを有する半導体装置搭載用配線基板。

IPC (3件)：

H01L23/12 , H01L21/56 , H01L23/36

FI (3件)：

H01L23/12 501B , H01L21/56 T , H01L23/36 Z

Fターム (6件)：

5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BE01 , 5F061AA01 , 5F061BA04 , 5F061CA21

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置用基板並びに半導体装置及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-273542 出願人：凸版印刷株式会社
回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-109762 出願人：有限会社旭電化研究所, 東海電子工業株式会社
リードフレームとリードフレームの製造方法と半導体装置と半導体装置の組立方法と電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-354244 出願人：ソニー株式会社

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