半導体集積回路装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005014918
公開番号（公開出願番号）：WO2007-020684
出願日： 2005年08月15日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

ダマシン法を用いて形成したCu配線19上にCuの拡散を防止する窒化シリコン膜21を形成する工程は、Cu配線19が形成された基板1をプラズマCVD装置のチャンバ内に搬入し、基板1を所定の温度に加熱する工程と、(b)チャンバ内にアンモニアを供給し、第1のRFパワーでアンモニアをプラズマ分解することによって、Cu配線19の表面を還元処理する工程と、(c)RFパワーが印加された状態で、チャンバ内にアンモニアとモノシランとを含む原料ガスを供給し、第2のRFパワーでアンモニアとシラン系ガスとをプラズマ分解することによって、Cu配線19上に窒化シリコン膜19を形成する工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にCu配線が形成され、前記Cu配線上にCuの拡散を防止するバリア膜が形成された半導体集積回路装置であって、前記バリア膜は、膜厚8nm以下の窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された炭窒化シリコン膜とからなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/318 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L21/90 K , H01L21/88 M , H01L21/318 B , H01L21/316 B

Fターム (67件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ03 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033QQ96 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BE04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-083348 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-324594 出願人：株式会社日立製作所
銅配線基板およびその製造方法ならびに液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-363432 出願人：株式会社フロンテック

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