半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-065431
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092456
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、発光特性を著しく改善する。【解決手段】基板(201)と窒素を含む活性層(204)との間にAlを含む半導体層(202)が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層(204)の酸素濃度が、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度(例えば1×1018cm-3以下)であることを特徴としている。これによって、活性層(204)の発光効率を改善することができ、室温連続発振する半導体発光素子を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層は、窒素化合物原料を用いて成長され、Alを含む半導体層は、有機金属Al原料を用いて成長されており、窒素を含む活性層における非発光再結合準位形成不純物の濃度は、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01S 5/183

FI (3件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01S 5/183

Fターム (33件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DA64 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB17 , 5F073BA02 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA27 , 5F073DA35 , 5F073EA02 , 5F073EA23 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (16件)

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-283422 出願人：株式会社リコー
特開平2-006389
特開平3-183693

全件表示

前のページに戻る