特許
J-GLOBAL ID：200903011124304544
電子デバイス及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲頭 光宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-369837
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136115
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 結晶性及び密着性がともに優れた下部導電体膜を有する電子デバイスを提供する。【解決手段】 本発明による電子デバイスは、基板11と、基板11上に設けられた下部導電体膜12と、下部導電体膜12上に設けられた機能膜13とを備え、基板11側における下部導電体膜12の密着力が0.1N/cm以上、好ましくは1N/cm以上であることを特徴とする。下部導電体膜12の密着力が0.1N/cm未満であると、電子デバイスの製造途中や完成後において下部導電体膜12に物理的な剥がれが生じるおそれがあるが、本発明によればこれを防止することが可能となる。特に、薄膜バルク振動子として用いる場合、下部導電体膜12とその下地との界面にて生じる微小な剥離がデバイス特性を著しく劣化させることがあるが、本発明によればこのような影響を効果的に抑制することが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に設けられた下部導電体膜と、前記下部導電体膜上に設けられた機能膜とを備える電子デバイスであって、前記基板側における前記下部導電体膜の密着力が0.1N/cm以上であることを特徴とする電子デバイス。
IPC (6件)：
H01L41/09
, H01L27/105
, H01L41/18
, H01L41/22
, H01L41/24
, H03H3/02
H01L41/08 C
, H03H3/02 B
, H01L27/10 444C
, H01L41/22 Z
, H01L41/08 L
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
5F083FR01
, 5F083GA27
, 5F083JA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA45
, 5J108MM14
出願人引用 (1件)
-
積層薄膜
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-134634
出願人：ティーディーケイ株式会社
審査官引用 (13件)
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