特許
J-GLOBAL ID：200903011339023244
半導体発光素子、その製造方法、および光伝送システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274395
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179313
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 活性層成長工程で、残留酸素や水と反応しOを膜中に取り込みやすいN原料を使用しても、欠陥、不純物が少ない結晶品質の良いGaInNAs系活性層を形成する技術を提供し、高い発光効率、低い閾値電流、長い寿命の半導体発光素子、その製造方法、および高信頼かつ高性能の光伝送システムを実現すること。【解決手段】 基板10とNを含むIII-V族化合物半導体層を有する活性層12との間に下部周囲層11を設け、下部周囲層11は主にGatIn1-tPuAs1-u(0≦t≦1,0≦u≦1)からなる。下部周囲層11の成長中または成長前に、有機Al原料を反応室に導入する。これにより反応室やガスラインに残留する酸素や水が有機Al原料と反応して除去され、その後の活性層成長工程でN原料を使用しても、酸素濃度を1.5×1017cm-3以下にすることができ、欠陥などが少ない結晶品質の良いGaInNAs系活性層を形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板とNを含むIII-V族化合物半導体層を有する活性層との間に下部周囲層を有し、該下部周囲層が主にGatIn1-tPuAs1-u(0≦t≦1,0≦u≦1)からなる半導体発光素子であって、前記Nを含むIII-V族化合物半導体層を有する活性層におけるOの濃度が、1.5×1017cm-3以下であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01S 5/323 610
, H01L 21/205
, H04B 10/02
, H04B 10/28
H01S 5/323 610
, H01L 21/205
, H04B 9/00 W
5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045BB14
, 5F045BB16
, 5F045EB06
, 5F045EB11
, 5F073AA51
, 5F073BA02
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB18
, 5F073DA05
, 5F073EA23
, 5F073EA28
, 5K102AA11
, 5K102AA17
, 5K102AD02
, 5K102AL13
, 5K102AL18
, 5K102PB01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (15件)
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