特許
J-GLOBAL ID:200903011925567873

改良研磨パッド及びこれに関連する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 辻本 一義
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-507086
公開番号(公開出願番号):特表2001-513450
出願日: 1998年08月05日
公開日(公表日): 2001年09月04日
要約:
【要約】【構成】親水性材料から形成された研磨表面を有する研磨パッドに関する。研磨表面には、熱成形工程によって作られたトポグラフィーが存在する。このトポグラフィーは、研磨流体の流れを容易にし、平滑化および平坦化を促進させる大小の凹凸を有している。
請求項(抜粋):
i. 密度が0.5g/cm3 よりも高く、 ii. 臨界表面張力が34ミリニュートン/m以上、 iii. 引張応力が0.02〜5ギガパスカル、 iv. 30°Cの引張応力と60°Cの引張応力との比が1.0〜2.5、 v. 硬さが25〜80ショワーD、 vi. 降伏応力が300-6000psi、 vii. 引張強度が1000〜15,000psi、 viii. 破壊伸度が500%以下である親水性材料から成る研磨パッドであって、 前記親水性材料は、(1) ウレタン、(2) 炭酸塩、(3) アミド、(4) エステル、(5) エーテル、(6) アクリル酸塩、(7) メタクリル酸塩、(8) アクリル酸、(9) メタクリル酸、(10) スルフォン、 (11) アクリルアミド、(12)ハロゲン化物および (13) 水酸化物からなるグループのうち少なくとも一つを成分とし、 前記親水性材料が研磨表面を有し、この表面には熱成形工程によって作られた複数の凹凸があり、この凹凸は、0.01ミリメートルよりも大きい少なくとも一つの大きさを有して研磨流体の流れを促進し、半導体デバイスあるい半導体デバイスの前駆体のケミカル-メカニカル ポリッシングを促進することを特徴とする研磨パッド。
IPC (3件):
B24B 37/00 ,  B24D 13/14 ,  H01L 21/304 622
FI (3件):
B24B 37/00 C ,  B24D 13/14 ,  H01L 21/304 622 F
Fターム (9件):
3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB10 ,  3C063AA10 ,  3C063BG01 ,  3C063EE01 ,  3C063EE10 ,  3C063FF30
引用特許:
審査官引用 (10件)
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