特許
J-GLOBAL ID：200903012213229900

構造基板の製造方法、構造基板、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子

発明者：
小林 俊雅

小林 俊雅 について

, 
元木 健作

元木 健作 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

, 
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315705
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124115
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子を実現する。【解決手段】 第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域A中に第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域Bが規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板1を用いて半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際に、第2の領域Bの上を通らないように半導体発光素子の発光領域あるいは半導体素子の活性領域を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であって、上記第2の領域の上を通らないように上記構造基板の構造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (18件)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F052DA04 ,  5F052EA15 ,  5F052GA01 ,  5F052GC01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA05 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (9件)
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