特許
J-GLOBAL ID：200903012701410339
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285931
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096168
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】高輝度且つ低駆動電圧であることに加え、経時的な発光出力の低下、及び駆動電圧の上昇を抑制することが可能な半導体発光素子を得る。【解決手段】基板上に、少なくともn型クラッド層3、活性層4、p型クラッド層5から成る発光部が形成され、発光部の上部にp型ドーパント濃度が1×1019/cm3以上であり、且つ、p型クラッド層に添加されるドーパントとは異なる材料のドーパントが添加されて成る薄膜のAs系p型コンタクト層7が形成され、p型コンタクト層7の上部に金属酸化物材料から成る電流分散層8が形成され、更に、p型クラッド層5とp型コンタクト層7との間に、p型の導電性であると共に故意的若しくは不可避的にC(炭素)が含まれ、且つ、膜厚がp型コンタクト層に添加されたドーパントの拡散長L以上であるIII/V族半導体で構成された緩衝層6を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型クラッド層、活性層、p型クラッド層から成る発光部が形成され、前記発光部の上部にp型ドーパント濃度が1×1019/cm3以上であり、且つ、前記p型クラッド層に添加されるドーパントとは異なる材料のドーパントが添加されて成る薄膜のAs系p型コンタクト層が形成され、前記p型コンタクト層の上部に金属酸化物材料から成る電流分散層が形成された半導体発光素子において、
前記p型クラッド層と前記p型コンタクト層との間に、p型の導電性であると共に故意的若しくは不可避的にC(炭素)が含まれ、且つ、膜厚がL=6.872×10-14×N0.733 の関係式[ただし、NはC濃度(単位:cm-3)、Lは前記p型コンタクト層に添加されたドーパントの拡散長(単位:μm)である]で求められる前記拡散長L以上であるIII/V族半導体で構成された緩衝層を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA98
出願人引用 (2件)
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AlGaInP系発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-216403
出願人：信越半導体株式会社
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米国再発行特許発明第35665号明細書
審査官引用 (8件)
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